Тезис

ISO 17560:2002 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1×1016 atoms/cm3 and 1×1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.


Общая информация 

  • Текущий статус
     : Отозвано
    Дата публикации
     : 2002-07
  • Версия
     : 1
  • Технический комитет
     : ISO/TC 201/SC 6 Secondary ion mass spectrometry
  • ICS
     :
    71.040.40 Chemical analysis

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. ТК
  5. ISO/TC 201/SC 6
  6. ISO 17560:2002